回收手机BGA芯片 回收手机EMMC 三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构
东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。
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