回收DDR4存储器芯片 回收DDR5颗粒而ddr4运作电压仅1.2v,比ddr3的1.5v低了至少20 ,也比ddr3l的1.35v还低,更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低,再加上ddr4一次支援 省电技术(deep power down),进入休眠模式时无须更新存储器,或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒,减少35 ~50 的待机功耗。
将来迈入20 制程时,会导入3d立体堆叠加矽钻孔(3d stacks+tsv)封装技术,以及针对绘图芯片、移动设备提出低脚位数的wide i/o,来提升dram存储器单位容量与频宽。
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