RICOH理光二三极管回收如受金属污染的栅氧化层,漏电流会增大,良率降低污染的膜层在酸槽中刻蚀,会二次污染酸槽;污染的膜层也有可能直接或分解成有害副产物阻止下一个沉积膜对晶片的很好粘附,造成脱落;甚至在无氧环境下加热,有机膜残渣碳化,或将与硅反应在晶片L形成化硅(SiC)缺陷区。
一般讲,颗粒尺寸如果超过器件小特征尺寸的50%,就有导致器件失效的可能。芯片污染膜在很多方面影响集成电路的正常加工和器件性能。金属和离子污染会引起有关器件操作方面的问题。在炉管制程时,金属污染物(如铁和铜)在硅中扩散极快,假如它们由晶片表面进人硅基材,会导致器件性能降低,如少数载流子寿命降低和PN结附漏电流增大。
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